Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA60R180C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 9A TO220-FP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA60R180C7
IPA60R180C7XKSA1 Hakkında
IPA60R180C7XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj ve 9A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 180mΩ on-resistance (Rds(on)) değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. TO-220-FP paketi ile montajı kolay ve ısı yönetimi etkilidir. Anahtarlama uygulamaları, invertörler, DC-DC konvertörler ve motor kontrol devreleri gibi endüstriyel elektrik şebekesi uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1080 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 29W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 5.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 260µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok