Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPA60R180C7

9A, 600V, 0.18OHM, N-CHANNEL MOS

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IPA60R180C7

IPA60R180C7 Hakkında

IPA60R180C7, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V 9A kapasitesindeki N-Channel MOSFET transistördür. 0.18Ohm düşük RDS(on) değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. 10V gate sürüş voltajında 180mΩ maksimum açık durum direnci sunar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlamalı güç kaynakları, motor kontrol devreleri, güç dönüştürücü ve enerji yönetim uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir ve 29W maksimum güç tüketimini tolere edebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1080 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 29W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 5.3A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-111
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 260µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok