Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA60R170CFD7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 8A TO220
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA60R170CFD7XKSA1
IPA60R170CFD7XKSA1 Hakkında
IPA60R170CFD7XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim ve 8A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 170mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük ısıl direnç sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 26W güç yayma kapasitesine sahiptir. 4.5V eşik gerilimi ve 28nC gate charge ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. Endüstriyel uygulamalar, AC-DC güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1199 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 26W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 300µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok