Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPA60R165CPXKSA1

MOSFET N-CH 600V 21A TO220-FP

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IPA60R165CPXKSA1

IPA60R165CPXKSA1 Hakkında

IPA60R165CPXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO220-FP paketinde sunulan bu bileşen, 21A sürekli drain akımı ve 165mΩ maksimum RDS(on) değeriyle yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 52nC gate charge ve 2000pF input capacitance özellikleriyle, güç dönüştürücüleri, invvertörler ve motor kontrol devreleri gibi endüstriyel uygulamalarda yer bulur. ±20V gate voltajı aralığında çalışan transistör, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Through-hole montajı sayesinde geleneksel PCB tasarımlarına kolayca entegre edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165mOhm @ 12A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 660µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok