Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA60R160P6
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA60R160P6
IPA60R160P6 Hakkında
IPA60R160P6, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 23.8A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 160mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıpla anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. 44nC gate charge ve 2080pF input capacitance özellikleriyle hızlı komütasyon sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel güç dönüştürücüler, motor sürücüler, kaynak cihazları ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2080 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 34W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-111 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 750µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok