Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPA60R160C6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-FP

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IPA60R160C6

IPA60R160C6XKSA1 Hakkında

IPA60R160C6XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. Maksimum 23.8A sürekli drenaj akımı ve 160mOhm RDS(on) değeri ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-FP paket tipi ile Through Hole montajına uyygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu bileşen, endüstriyel konvertörler, motor kontrol devreleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda yer alır. 75nC gate charge ve düşük input kapasitansı (1660pF @ 100V) hızlı anahtarlama özelliği sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1660 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 11.3A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 750µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok