Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA60R125P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 30A TO220-FP
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA60R125P6
IPA60R125P6XKSA1 Hakkında
IPA60R125P6XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 30A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-FP paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüleri, motor kontrol sistemleri ve endüstriyel güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. 125mOhm RDS(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, 34W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir ve through-hole montajı ile PCB'ye doğrudan entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2660 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 34W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 11.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 960µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok