Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPA60R125CPXKSA1

MOSFET N-CH 650V 25A TO220-FP

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IPA60R125CPXKSA1

IPA60R125CPXKSA1 Hakkında

IPA60R125CPXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 650V drain-source voltajında 25A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-FP paketinde sunulan bu bileşen, 125mΩ maksimum on-resistance değeriyle düşük güç kaybı sağlar. 70nC gate charge ve 2500pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, güç elektronikleri uygulamalarında, anahtarlamalı güç kaynakları, motor sürücüleri ve invertör devrelerinde kullanılır. ±20V maksimum gate-source voltajı ile güvenli kontrol sınırları sağlar. Not: Bu ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 16A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok