Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA60R125CFD7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA60R125CFD7XKSA1
IPA60R125CFD7XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPA60R125CFD7XKSA1, 600V drain-source geriliminde 11A sürekli akım kapasitesine sahip N-channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 125mOhm (10V, 7.8A'de) kanal direnci ile düşük güç kaybı sağlar. Gate charge 36nC ve 4.5V gate threshold voltajı ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, endüstriyel güç dönüştürme, motor kontrol, kaynak devreleri ve yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 32W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1503 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 32W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 7.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 390µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok