Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA60R125C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 30A TO220-FP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA60R125C6
IPA60R125C6XKSA1 Hakkında
IPA60R125C6XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 30A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 125mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama özellikleri sunar. TO-220-FP paket tipinde gelen bu transistör, endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreleri, AC/DC konvertörleri ve UPS sistemlerinde anahtarlama elemanı olarak uygulanır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 34W maksimum güç dağılımı destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 96 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2127 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 34W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 14.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 960µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok