Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA60R120P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 26A TO220
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA60R120P7XKSA1
IPA60R120P7XKSA1 Hakkında
IPA60R120P7XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj kapasitesi ve 26A sürekli dren akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sağlanan bu transistör, anahtarlama devrelerinde, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde tercih edilir. 120mΩ maksimum drain-source on-state direnci ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans sunar. Gate charge değeri 36nC olarak belirlenmiş olup, hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Endüstriyel ve ticari güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 26A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1544 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 28W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 8.2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220 Full Pack |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 410µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok