Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA60R099P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 31A TO220
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA60R099P7
IPA60R099P7XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPA60R099P7XKSA1, 600V drain-source gerilimi ile çalışan N-channel MOSFET transistörüdür. 31A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olan bu komponent, düşük on-state direnci (Rds(on)) karakteristiğiyle güç uygulamalarında verimli çalışır. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, endüstriyel konvertörlerde, switched-mode power supplies (SMPS), motor kontrolü, inverter tasarımları ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığı sayesinde zorlu ortamlardaki uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1952 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 29W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99mOhm @ 10.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 530µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok