Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA60R099P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA60R099P6
IPA60R099P6XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPA60R099P6XKSA1, 600V dren-kaynak gerilimi ile çalışabilen N-kanallı Power MOSFET'tir. 37.9A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olup, 99mOhm maksimum on-resistance (10V, 14.5A koşullarında) sunmaktadır. TO-220-FP paketinde sunulan bileşen, endüstriyel güç kontrol uygulamaları, anahtarlamalar, inverter devreleri, motor sürücüleri ve SMPS (Switch Mode Power Supply) sistemlerinde kullanılır. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu transistör, 70nC gate charge ve düşük input capacitance (3330pF @ 100V) özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerektiren uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 37.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3330 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 34W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99mOhm @ 14.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.21mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok