Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA60R099C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO220-FP
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA60R099C7XKSA1
IPA60R099C7XKSA1 Hakkında
IPA60R099C7XKSA1, 600V dayanıklılığa sahip bir N-Channel MOSFET transistörüdür. 12A sürekli drain akımı ve 33W maksimum güç disipasyonu kapasitesiyle çalışır. Rds(on) değeri 99mΩ @ 9.7A, 10V'ta ölçülmüştür. TO-220-3 Full Pack paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 42nC gate charge değeriyle hızlı anahtarlama özellikleri sunmaktadır. Güç dönüştürme devreleri, anahtarlamalı güç kaynakları, motor kontrol uygulamaları ve yüksek voltajlı anahtarlama devreleri gibi endüstriyel ve tüketici uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1819 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 33W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99mOhm @ 9.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 490µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok