Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA60R099C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA60R099C6
IPA60R099C6XKSA1 Hakkında
IPA60R099C6XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim (Vdss) ve 37.9A sürekli dren akımı (Id @ 25°C) kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-FP paketinde sunulan bu bileşen, 99mOhm maksimum on-state direnci (Rds On) ile verimli güç iletimini sağlar. Gate charge değeri 119nC olup, hızlı komütasyon uygulamaları için uygundur. Çalışma sıcaklık aralığı -55°C ile 150°C arasındadır. Endüstriyel anahtarlama, motor kontrol ve güç dönüştürücü devreleri gibi uygulamalarda yer alabilir. Part Status olarak 'Not For New Designs' olarak işaretlenmiştir ve mevcut tasarımlar için seçilmemelidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 37.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 119 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2660 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99mOhm @ 18.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.21mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok