Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA60R080P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 37A TO220
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA60R080P7
IPA60R080P7XKSA1 Hakkında
IPA60R080P7XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V Drain-Source gerilimi ve 37A sürekli dren akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 80mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama özellikleri sunar. Gate Charge değeri 51nC olup, hızlı komütasyon gerektiren konvertörler, motor sürücüleri ve enerji dönüştürme devrelerinde uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, 29W maksimum güç tüketimi ile endüstriyel ve tüketim elektroniğinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 37A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2180 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 29W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 11.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 590µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok