Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPA60R060C7XKSA1

MOSFET N-CH 600V 16A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IPA60R060C7

IPA60R060C7XKSA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IPA60R060C7XKSA1, 600V drain-source gerilimi ile çalışan N-channel MOSFET transistörüdür. 16A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmış olup, 60mOhm (10V, 15.9A) on-state direnci sunmaktadır. TO-220-3 paketlemesiyle sunulan bu bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama işlevleri, SMPS devreleri, motor kontrolü ve industrial güç kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 34W maksimum güç dissipasyonu sağlar. Gate charge değeri 68nC olup, 10V gate sürme voltajında standart işletim koşullarını desteklemektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2850 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 15.9A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 800µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok