Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPA50R950CEXKSA2

MOSFET N-CH 500V 3.7A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IPA50R950CEXKSA2

IPA50R950CEXKSA2 Hakkında

IPA50R950CEXKSA2, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source voltaj kapasitesi ve 3.7A kontinü drain akımı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-220-3 paketindeki bu komponent, anahtarlama devreleri, DC-DC konverterler, motor kontrol uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. 950mOhm (13V, 1.2A'de) on-state direnç değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. -40°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 25.7W maksimum güç dissipasyonuna sahiptir. Düşük kapı yükü (10.5nC @ 10V) hızlı anahtarlama süresi sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 13V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 231 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 25.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950mOhm @ 1.2A, 13V
Supplier Device Package PG-TO220-3-FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok