Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPA50R950CE

MOSFET N-CH 500V 4.3A TO220-FP

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IPA50R950CE

IPA50R950CE Hakkında

IPA50R950CE, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. Super Junction teknolojisini kullanarak 500V Drain-Source gerilimi ve 4.3A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 950mOhm (13V, 1.2A'de) on-resistance değeri ile güç uygulamalarında verimli çalışma sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, -40°C ile +150°C arasında çalışabilir. Güç kaynakları, motor kontrolü, anahtarlama devreleri ve endüstriyel uygulamalarda kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 10.5nC gate charge ve 231pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Ürün EOL (End of Life) durumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 13V
FET Feature Super Junction
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 231 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 25.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950mOhm @ 1.2A, 13V
Supplier Device Package PG-TO220-3-31
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok