Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA50R800CEXKSA2
MOSFET N-CH 500V 4.1A TO220
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA50R800CEXKSA2
IPA50R800CEXKSA2 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPA50R800CEXKSA2, 500V drain-source gerilimi ve 4.1A sürekli dren akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 800mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Geniş sıcaklık aralığında (-40°C ~ 150°C) stabil çalışan transistör, yüksek gerilim anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları, inverterler ve endüstriyel kontrol devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. ±20V gate gerilim aralığı ve 12.4nC gate charge özelliği ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 280 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 26.4W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 1.5A, 13V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 130µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok