Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA50R800CE
MOSFET N-CH 500V 5A TO220-FP
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA50R800CE
IPA50R800CE Hakkında
IPA50R800CE, Rochester Electronics tarafından üretilen 500V 5A kapasiteli N-Channel MOSFET transistördür. Super Junction teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, TO-220-3 paketinde sunulmaktadır. 800mΩ tipik Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -40°C ile +150°C arasında çalışabilir. Gate charge değeri 12.4nC olup, hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Enerji dönüştürme sistemleri, güç kaynakları, inverter devreleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Sürekli drain akımı 5A'ye kadar destekler ve maksimum 26.4W güç dağılımı yapabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 280 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 26.4W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 1.5A, 13V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 130µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok