Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA50R650CEXKSA2
MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA50R650CEXKSA2
IPA50R650CEXKSA2 Hakkında
IPA50R650CEXKSA2, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilim derecelendirmesi ve 4.6A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 650mOhm maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük kayıp işletme sağlar. TO-220-3 paketine sahip olan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak yer alır. -40°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı sayesinde endüstriyel ortamlarda güvenilir performans sunar. 27.2W maksimum güç saçılımı kapasitesi ile düşük empedanslı uygulamalar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 342 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 27.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 1.8A, 13V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok