Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA50R650CE
MOSFET N-CH 500V 6.1A TO220-FP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA50R650CE
IPA50R650CE Hakkında
IPA50R650CE, Infineon Technologies tarafından üretilen 500V N-Channel MOSFET transistörüdür. Super Junction teknolojisi ile tasarlanmış olan bu transistör, 6.1A sürekli dren akımı ve 650mOhm maksimum RDS(on) değeri ile karakterizedir. TO-220-3 paketinde sunulan komponent, anahtarlama uygulamalarında, güç kaynakları, invertörler ve motor kontrol devrelerinde yaygın olarak kullanılır. ±20V Gate-Source gerilim dayanımı ve geniş çalışma sıcaklık aralığı (-40°C ile +150°C arası) ile endüstriyel ve tüketici uygulamalarına uygundur. Gate charge değeri 15nC olup, hızlı anahtarlama özellikleri sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 342 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 27.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 1.8A, 13V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok