Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPA50R399CPXKSA1

MOSFET N-CH 500V 9A TO220-FP

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IPA50R399CPXKSA1

IPA50R399CPXKSA1 Hakkında

IPA50R399CPXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V Drain-Source gerilim kapasitesi ve 9A sürekli dren akımı özelliğine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V drive voltajında 399mΩ on-resistance değerine ulaşır. ±20V Vgs aralığında çalışabilir ve -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. 83W maksimum güç tüketim kapasitesi ile güç uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve endüstriyel elektronik sistemlerinde kullanılmaya uygundur. 23nC gate charge ve 890pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama işlemleri için tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 890 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 399mOhm @ 4.9A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-31
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 330µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok