Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA50R299CPXKSA1
MOSFET N-CH 550V 12A TO220-FP
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA50R299CPXKSA1
IPA50R299CPXKSA1 Hakkında
IPA50R299CPXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 550V drain-source gerilimi ve 12A sürekli dren akımı ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 299mΩ on-resistance değeri ile güç kaybını minimize eder. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama devreleri, motor sürücüleri, güç dönüştürücüleri ve endüstriyel enerji yönetimi sistemlerinde yer alır. 104W maksimum güç tüketimi kapasitesi ve 31nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. ±20V maksimum gate-source gerilimi, geniş uygulama alanı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 550 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1190 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 299mOhm @ 6.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-31 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 440µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok