Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA50R280CEXKSA2
MOSFET N-CH 500V 7.5A TO220
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA50R280CEXKSA1
IPA50R280CEXKSA2 Hakkında
IPA50R280CEXKSA2, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 7.5A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamaları için tasarlanmıştır. 280mOhm on-dirençi (Rds On) ile verimli anahtarlama sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, enerji dönüştürme devreleri, motor kontrol üniteleri, güç kaynakları ve indüktif yükler için anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -40°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. 32.6nC gate charge değeri ile hızlı ve kontrollü anahtarlama özelliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 773 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 30.4W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 4.2A, 13V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 350µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok