Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPA50R280CE

MOSFET N-CH 500V 13A TO220-FP

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IPA50R280CE

IPA50R280CE Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IPA50R280CE, 500V drain-source gerilimi ile tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. Super Junction teknolojisi kullanılarak üretilen bu bileşen, 13A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 280mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, güç dönüştürme uygulamaları, anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve endüstriyel güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Gate charge değeri 32.6nC olup, hızlı anahtarlama özelliği sayesinde yüksek frekanslı uygulamalara uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 13V
FET Feature Super Junction
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 773 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 30.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 4.2A, 13V
Supplier Device Package PG-TO220-3-31
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 350µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok