Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA50R250CPXKSA1
MOSFET N-CH 500V 13A TO220-FP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA50R250CPXKSA1
IPA50R250CPXKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPA50R250CPXKSA1, 500V drain-source voltajında çalışabilen N-channel MOSFET transistördür. Super Junction teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, 13A sürekli drain akımı ve maksimum 33W güç disipasyonu kapasitesine sahiptir. 250mΩ maksimum on-state direnci ile düşük enerji kaybı sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bileşen, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, endüstriyel ve ticari sistemlerde tercih edilir. Başlık part status'u itibariyle yeni tasarımlarda önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1420 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 33W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 7.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-31 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 520µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok