Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPA50R190CEXKSA2

MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IPA50R190CEXKSA2

IPA50R190CEXKSA2 Hakkında

IPA50R190CEXKSA2, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source voltaj kapasitesiyle ve 18.5A sürekli drain akımıyla, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 190mΩ (13V, 6.2A'de) on-resistance değeri ile verimli enerji dağıtımı sağlar. TO-220-3 through-hole paketinde sunulan bu bileşen, -40°C ile +150°C arasında çalışır. Gate charge değeri 47.2nC olup, hızlı anahtarlama özelliği gösterir. Endüstriyel uygulamalar, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde tercih edilir. ±20V maksimum gate-source voltajı ile geniş kontrol aralığı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 13V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1137 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 6.2A, 13V
Supplier Device Package PG-TO220-FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 510µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok