Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA50R190CE
MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-FP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA50R190CE
IPA50R190CE Hakkında
IPA50R190CE, Infineon Technologies tarafından üretilen 500V N-Channel MOSFET transistördür. Super Junction teknolojisi kullanılarak tasarlanmış bu bileşen, 18.5A sürekli drenaj akımında çalışma kapasitesine sahiptir. 190mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kaçış kayıpları sağlar. Güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, anahtarlama devreleri ve endüstriyel uygulamalarda anahtarlama elemanı olarak kullanılır. TO-220-FP paket tipi ile montajlanır ve -55°C ile +150°C arasında çalışır. 32W maksimum güç disipasyonu desteği bulunmaktadır. Gate charge değeri 47.2nC olup hızlı anahtarlama performansı sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1137 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 32W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 6.2A, 13V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 510µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok