Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA180N10N3GXKSA1
MOSFET N-CH 100V 28A TO220-FP
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA180N10N3
IPA180N10N3GXKSA1 Hakkında
IPA180N10N3GXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltaj ve 28A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. Maksimum 18mOhm (10V, 28A) on-state direnci ve 25nC gate charge değerine sahiptir. TO-220-3 Full Pack paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve DC-DC konverter gibi endüstriyel elektronik sistemlerde kullanılmaya uygundur. ±20V maksimum gate-source voltajı ve 3.5V gate-source eşik voltajı ile hızlı komutasyon karakteristiği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 28A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 35µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok