Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA126N10N3GXKSA1
MOSFET N-CH 100V 35A TO220-FP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA126N10N3
IPA126N10N3GXKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPA126N10N3GXKSA1, N-kanallı MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilimi ve 35A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-FP paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve güç yönetimi uygulamalarında yer alır. 12.6mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 33W maksimum güç tüketimi kapasitesi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2500 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 33W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.6mOhm @ 35A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 45µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok