Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPA105N15N3GXKSA1

MOSFET N-CH 150V 37A TO220-FP

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IPA105N15N3G

IPA105N15N3GXKSA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IPA105N15N3GXKSA1, 150V drain-source geriliminde 37A sürekli akım yeteneğine sahip bir N-Channel Power MOSFET'tir. TO-220-FP paketinde sunulan bu transistör, düşük RDS(on) değeri (10.5mΩ @ 37A, 10V) sayesinde güç dönüştürme uygulamalarında yüksek verimlilik sağlar. 55nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sunar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir operasyon yapabilir. Endüstriyel güç kaynakları, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler, invörter devreleri ve benzer yüksek akım anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 37A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4300 pF @ 75 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 40.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 37A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 160µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok