Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA100N08N3GXKSA1
MOSFET N-CH 80V 40A TO220-FP
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA100N08N3G
IPA100N08N3GXKSA1 Hakkında
IPA100N08N3GXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source voltaj ve 40A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrolü ve DC-DC konvertörleri gibi uygulamalarda yer alır. 10mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışmaya uygun olup, 35W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. Gate threshold voltajı maksimum 3.5V olduğundan, standart lojik seviyesi sürücülerle kontrol edilebilir. Bileşen üretimi sonlandırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2410 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 46µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok