Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPA093N06N3GXKSA1

MOSFET N-CH 60V 43A TO220-3-31

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IPA093N06N3

IPA093N06N3GXKSA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IPA093N06N3GXKSA1, 60V drain-source gerilimi ve 43A sürekli drenaj akımı özelliklerine sahip N-channel MOSFET transistördür. TO-220-3 kapsüle yerleştirilmiş bu bileşen, güçlü anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. 9.3mOhm'luk düşük açık-devre direnci (RDS(on)) sayesinde ısıl kaybın minimized edildiği anahtarlama devrelerinde, motor kontrol, güç dönüştürme ve DC-DC konvertörlerde uygulanır. -55°C ile 175°C arası geniş çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. Maksimum 33W güç tüketimi ile endüstriyel ve ticari uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 43A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3900 pF @ 30 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.3mOhm @ 40A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-31
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 34µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok