Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPA083N10NM5SXKSA1

MOSFET N-CH 100V 50A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IPA083N10NM5

IPA083N10NM5SXKSA1 Hakkında

Infineon Technologies IPA083N10NM5SXKSA1, 100V/50A kapasiteli N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, düşük 8.3mOhm'luk Rds(on) değeri ile güç anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamaları için uygunluğunu artırır. 36W'lık maksimum güç dağılımı kapasitesi ile motor kontrolü, güç kaynakları, şarj cihazları ve inverter devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. Through-hole montaj tipi sayesinde geleneksel PCB tasarımlarında kolay entegrasyonu sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2700 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.3mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220 Full Pack
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 49µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok