Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA083N10N5XKSA1
MOSFET N-CH 100V 44A TO220-FP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA083N10N5
IPA083N10N5XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPA083N10N5XKSA1, 100V drain-source gerilimi ve 44A sürekli drenaj akımı ile çalışan N-channel MOSFET'tir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 8.3mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilmesi sayesinde geniş sıcaklık aralığında kullanıma uygundur. Güç kaynakları, motor sürücüler, DC-DC konvertörler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 37nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 44A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2730 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 36W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.3mOhm @ 44A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 49µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok