Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPA082N10NF2SXKSA1

TRENCH >=100V PG-TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IPA082N10NF2

IPA082N10NF2SXKSA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IPA082N10NF2SXKSA1, 100V drain-source gerilimi ile çalışan N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, 46A sürekli drain akımı kapasitesine ve 8.2mΩ (10V, 30A'da) düşük on-state direncine sahiptir. TRENCH teknolojisi kullanılarak tasarlanan bu transistör, güç yönetimi uygulamaları, motor kontrol devreleri, elektrik tüketim kontrolü ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığı aralığında ve 35W maksimum güç tüketimi ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 46A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.2mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220 Full Pack
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 46µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok