Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPA060N06NXKSA1

MOSFET N-CH 60V 45A TO220-FP

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IPA060N06NXKSA1

IPA060N06NXKSA1 Hakkında

IPA060N06NXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi (Vdss) ve 45A sürekli dren akımı (Id) kapasitesine sahiptir. TO-220-FP paketinde sunulan bu transistör, 6mOhm maksimum açık durum direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. Güç elektronikleri uygulamalarında, motor sürücüleri, anahtarlama devreleri ve güç yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 32nC gate charge ve 2500pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama özelliğini destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 45A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 30 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 45A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.3V @ 36µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok