Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA057N08N3GXKSA1
MOSFET N-CH 80V 60A TO220-FP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA057N08N3
IPA057N08N3GXKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPA057N08N3GXKSA1, 80V drain-source gerilimi ve 60A sürekli drenaj akımına sahip N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 5.7mΩ düşük on-state dirençi (Rds On) sayesinde güç uygulamalarında düşük ısıl kayıp sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama güç kaynakları, motor sürücüler, güç yönetimi ve endüstriyel kontrolcü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 69nC gate charge ile hızlı anahtarlama karakteristiği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 69 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4750 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 39W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7mOhm @ 60A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok