Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPA057N06N3GXKSA1

MOSFET N-CH 60V 60A TO220-3-31

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IPA057N06N3

IPA057N06N3GXKSA1 Hakkında

IPA057N06N3GXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim ve 60A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 5.7mΩ maksimum Rds(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-220-3 paketlemesiyle endüstriyel güç elektronik devrelerinde, motor kontrolü, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. 38W maksimum güç dağılımı kapasitesiyle tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6600 pF @ 30 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 60A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-31
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 58µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok