Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPA050N10NM5SXKSA1

MOSFET N-CH 100V 66A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IPA050N10NM5

IPA050N10NM5SXKSA1 Hakkında

Infineon Technologies IPA050N10NM5SXKSA1, 100V drain-source geriliminde 66A sürekli akım kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde üretilen bu bileşen, 5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalara uygundur. ±20V gate gerilim aralığında çalışabilen transistör, -55°C ile 175°C arasındaki geniş sıcaklık işletim aralığında kullanılabilir. Gate charge karakteristiği 68nC @ 10V olup, hızlı anahtarlama işlemleri gerektiren uygulamalarda tercih edilir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 66A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4700 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 33A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220 Full Pack
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 84µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok