Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPA045N10N3GXKSA1

MOSFET N-CH 100V 64A TO220-FP

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IPA045N10N3

IPA045N10N3GXKSA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IPA045N10N3GXKSA1, N-channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 64A sürekli akım kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-220-FP paketinde sunulan bu transistör, 4.5mOhm maksimum on-resistance değeri sayesinde düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı ve 39W maksimum güç tüketimi, anahtarlama ve DC-DC dönüştürücü, motor kontrol ve güç yönetimi devrelerinde tercih edilmesini sağlar. Vgs ±20V toleransı ve 3.5V threshold gerilimi, çeşitli sürücü devresi tasarımlarında uyumlu kullanım imkanı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 64A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8410 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 64A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 150µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok