Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPA037N08N3GXKSA1

MOSFET N-CH 80V 75A TO220-FP

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IPA037N08N3G

IPA037N08N3GXKSA1 Hakkında

IPA037N08N3GXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistörüdür. 80V drain-source gerilimi ve 75A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 3.7mΩ (10V, 75A koşullarında) düşük on-direnç değeri sayesinde enerji verimliliği gerektiren motor kontrol, güç kaynağı, enerji dönüştürme ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8110 pF @ 40 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 75A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 155µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok