Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPA030N10NF2SXKSA1

TRENCH >=100V PG-TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IPA030N10NF2

IPA030N10NF2SXKSA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IPA030N10NF2SXKSA1, 100V Drain-Source gerilimi ile çalışan N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 25°C'de 83A sürekli dren akımı sağlayabilir. 3mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sunarak güç kaybını minimize eder. -55°C ile +175°C arasında güvenli çalışabilen bu TRENCH teknolojisi MOSFET, anahtarlama uygulamaları, motor sürücüleri, güç yönetimi devreleri ve industrial kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. ±20V maksimum gate voltajı ve 3.8V gate eşik gerilimi ile esnek tasarım seçenekleri sunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 83A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7300 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220 Full Pack
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 169µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok