Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA030N10N3GXKSA1
MOSFET N-CH 100V 79A TO220-FP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA030N10N3
IPA030N10N3GXKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPA030N10N3GXKSA1, N-channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 79A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. 3mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-220-FP paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç kaynakları ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 79A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 206 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14800 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 41W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 79A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 270µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok