Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA029N06NXKSA1
MOSFET N-CH 60V 84A TO220-FP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA029N06NXKSA1
IPA029N06NXKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPA029N06NXKSA1, 60V drain-source geriliminde çalışabilen N-channel güç MOSFET'idir. 84A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 2.9mΩ düşük RDS(on) değeri ile motor kontrolü, güç kaynakları, inverter devreleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda kullanılır. TO-220-FP paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 66nC gate charge ve 5125pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama işlemleri sağlar. ±20V gate-source gerilim toleransı ile geniş uygulama alanında kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 84A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5125 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 38W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9mOhm @ 84A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.3V @ 75µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok