Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPA028N08N3GXKSA1
MOSFET N-CH 80V 89A TO220-FP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPA028N08N3G
IPA028N08N3GXKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPA028N08N3GXKSA1, 80V drain-source gerilim ile çalışan N-channel power MOSFET transistörüdür. 89A sürekli drain akımı kapasitesi ve 2.8mΩ on-resistance değeri ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-FP paketinde sunulan bu transistör, motor sürücü devreleri, güç kaynakları, yük anahtarlaması ve inverter uygulamalarında yaygın olarak yer almaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilmesi, geniş sıcaklık aralığında kullanım gerektiren endüstriyel uygulamalar için uygun kılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 89A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 206 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14200 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 89A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 270µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok