Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IMZA65R083M1HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IMZA65R083M1
IMZA65R083M1HXKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IMZA65R083M1HXKSA1, Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 26A sürekli drenaj akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 111mΩ maksimum RDS(on) değeri ve 104W güç dağıtımı kapasitesi sayesinde verimli anahtarlama işlemleri sağlar. TO-247-4 paketlemesi ile through-hole montajına uygun olup, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Enerji dönüştürücü, şarj cihazları, inverterler ve industrial güç elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 26A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 624 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 111mOhm @ 11.2A, 18V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-4-3 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +20V, -2V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.7V @ 3.3mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok