Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IMZA65R057M1HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IMZA65R057M1H
IMZA65R057M1HXKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IMZA65R057M1HXKSA1, 650V SiCFET (Silicon Carbide) teknolojisine dayanan bir N-Channel MOSFET'tir. TO-247-4 paketinde sunulan bu bileşen, 35A sürekli dren akımı ve 74mOhm On-State direnç değerleri ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel invertörler, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve UPS sistemleri gibi yüksek gerilim güç elektronik devrelerinde tercih edilir. Düşük kapasitans ve gate charge özellikleri sayesinde hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir ve verimli enerji dönüşümü sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 930 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 133W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 74mOhm @ 16.7A, 18V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-4-3 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +20V, -2V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.7V @ 5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok